Name: onsemi FDC645N_F095
Brand: onsemi
SKU: FDC645N_F095
Availability: InStock
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onsemi FDC645N_F095

Artikelnummer:

FDC645N_F095

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

Datenblätte:

1.FDC645N_F095.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mold Compound 08/April/2008.pdf onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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RoHs Status:

Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi FDC645N_F095 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDC645N_F095.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 6.2A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1460 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.5A (Ta)
Grundproduktnummer	FDC645
FDC645N_F095 Einzelheiten PDF [English]	FDC645N_F095 PDF - EN.pdf

Rückgabe -Richtlinien

Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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